T1 是工業(yè)純銅中純度最高的牌號，核心定位 “超高純度 + 極致軟態(tài) + 頂級導(dǎo)電”，成分嚴格控制為銅含量≥99.95% ，雜質(zhì)總含量≤0.05%，其中鉍≤0.001%（杜絕低溫脆性）、鉛≤0.005%（防止熱加工開裂）、氧≤0.02%（避免氫脆風(fēng)險）。極低的雜質(zhì)含量賦予其卓越性能：室溫抗拉強度 200-240MPa，導(dǎo)電率≥98% IACS（接近純銅理論極限 100% IACS），延伸率 45%-50%，布氏硬度 35-45HB，是電子工業(yè)高純導(dǎo)線、真空器件電極、精密儀器導(dǎo)電層等對純度與導(dǎo)電性要求苛刻場景的唯一選擇。

超高純度的導(dǎo)電與塑性機制是 T1 的核心競爭力。99.95% 以上的銅含量意味著基體中雜質(zhì)原子極少，自由電子運動幾乎不受雜質(zhì)散射影響 ——20℃時電阻率僅 1.58×10??Ω?m，比普通純銅 T2（1.62×10??Ω?m）低 2.5%，比黃銅低 74%。某芯片測試設(shè)備廠將 T1 制成直徑 0.05mm 的高純探針，信號傳輸損耗≤0.5%，遠低于 T2 探針（損耗≥2%），確保芯片測試數(shù)據(jù)的精準度（誤差≤0.001%）。同時，低雜質(zhì)含量使 T1 具備極致軟態(tài)特性：晶界無雜質(zhì)偏析，位錯運動阻力小，延伸率達 45% 以上，冷態(tài)變形量可超過 90%。某精密電子廠將 T1 冷軋至 0.01mm 的超薄銅箔，用于高頻信號屏蔽，銅箔平整度誤差≤0.002mm，無開裂或褶皺，滿足 5G 設(shè)備的精密屏蔽需求（屏蔽效能≥90dB）。

耐蝕性適配高純度場景，在干燥大氣中，T1 表面快速形成極薄的Cu?O 氧化膜（厚度 1-2μm，孔隙率≤0.1%），年腐蝕速率僅 0.008mm，是 T3 純銅（0.015mm）的 1/2；但在潮濕或酸性環(huán)境中易生成 “銅綠”（堿式碳酸銅），需通過電鍍鎳或涂覆有機涂層保護。某真空器件廠的 T1 電極（直徑 10mm、長度 50mm），在 10??Pa 真空環(huán)境中使用 5 年，表面無氧化變色，導(dǎo)電性能無衰減（接觸電阻穩(wěn)定在 1mΩ 以內(nèi)），滿足真空電子管的長期穩(wěn)定運行要求。

加工工藝聚焦 “純度保護 + 軟態(tài)成型”，熔煉環(huán)節(jié)是關(guān)鍵：采用工頻感應(yīng)爐，原材料選用 99.99% 的高純電解銅，熔煉溫度嚴格控制在 1080-1100℃（避免銅液過熱導(dǎo)致氧化），全程通入高純度氮氣（純度≥99.999%）隔絕空氣，防止氧含量超標。熱加工僅用于制作粗坯，溫度 800-850℃，此時 T1 塑性達峰值（伸長率≥50%），單道次鍛造變形量可達 60%，但因軟態(tài)特性，熱加工后需快速冷卻避免晶粒長大。冷加工是主要成型方式，可實現(xiàn)冷軋、冷拉、深沖，道次變形量 25%-30%，無需中間退火（加工硬化速率極低）。某電線廠生產(chǎn)的 T1 高純導(dǎo)線（直徑 0.1mm），經(jīng) 5 道次冷拉后，直徑精度達 ±0.001mm，表面粗糙度 Ra0.2μm，符合電子工業(yè) “超純導(dǎo)線” 標準（GB/T 3956-2008 Class 1）。焊接采用氬弧焊，選用純銅焊絲（HSCu），焊前無需預(yù)熱，接頭導(dǎo)電率達母材 95%，某精密儀器的 T1 導(dǎo)電連接管焊接后，在 100A 電流下運行，焊縫溫升≤8K，無信號傳輸延遲。

應(yīng)用場景集中在高純度需求領(lǐng)域，除芯片測試探針、真空器件電極外，還用于標準電阻（精度 ±0.001%）、電解電容器陽極箔等。在某晶圓制造項目中，T1 制成的晶圓載臺導(dǎo)電層（厚度 0.5mm），因純度高、導(dǎo)電性優(yōu)異，晶圓光刻定位誤差≤0.001mm，使芯片制造良率從 92% 提升至 96%，每年為廠家增加產(chǎn)值超 2000 萬元，充分彰顯 “超高純度 + 高導(dǎo)軟態(tài)” 的核心價值。